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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDN358P 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SuperSOT T/R

内部编号

3-FDN358P

#1

数量:45
1+¥1.08
10+¥0.713
30+¥0.67
100+¥0.594
最小起订量:1
深圳
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#2

数量:45
1+¥1.08
10+¥0.713
30+¥0.67
100+¥0.594
最小起订量:1
深圳
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#3

数量:215319
1+¥1.541
25+¥1.3869
100+¥1.3869
500+¥1.3098
1000+¥1.2328
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDN358P产品详细规格

规格书 FDN358P datasheet 规格书
FDN358P datasheet 规格书
FDN358P datasheet 规格书
文档 Mold Compound 08/April/2008
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 1.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 125 mOhm @ 1.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 5.6nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 182pF @ 15V
功率 - 最大 460mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 3-SSOT
包装材料 Tape & Reel (TR)
associated FDN358P
ZXMP3A13FTA

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